DIMM (Dual In-line Memory Module) - двухсторонний модуль памяти - конструктив модуля памяти, становящиеся с 1997 года фактическим стандартом для компьютеров. Имеет по 84 вывода с каждой стороны. Собственно память, размещенная на модуле, может быть как FPM DRAM или EDO DRAM так и SDRAM. Память в DIMM имеет разрядность 64 (с четностью 72) бита и может использоваться поодиночке, а не парами, как обычные SIMM.
ECC (Error Control Correction) - режим контроля фукционирования памяти с восстановлением ошибок. Применяется в некоторых материнских платах с соответствующими наборами микросхем для особо критичных к надежности функционирования компьютеров. В основном это сервера и мощные графические станции с большими объемами памяти. Для этого обязательно должны быть установлены планки памяти с истинной четностью. В этом режиме возможно исправление только одиночных ошибок, то есть одной ошибки в одном бите из 64, которые считывает процессор.
EDO DRAM (Extended Data Output DRAM) - этот вид памяти при работе на запись не дает никаких преимуществ по сравнению с FPM DRAM, но требует существенно меньше времени при чтении за счет того, что данные удерживаются на выходе микросхемы EDO DRAM дольше, чем в FPM DRAM. EDO (как и FPM) не дает никаких преимуществ при произвольной выборке данных из памяти, но такая ситуация возникает крайне редко. На микросхемах EDO DRAM указывается время доступа в наносекундах к данным в случайном порядке.
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM) - самый старый вид памяти, который стал применяться еще в 80-х годах. Отличается от стандартной тем, что позволяет сократить чтение/запись данных, расположенных один за другим в памяти, но при этом на каждое слово требуется не менее трех тактов системной шины. На микросхемах FPM DRAM указывается время доступа в наносекундах к данным в случайном порядке.
RAMBUS DRAM - новый вид памяти, разрабатываемый компанией Rambus. Этот тип памяти поддержан фирмой Intel, но пока нет информации о его поддержке основными производителями микросхем и модулей памяти.
SDRAM (Synchronous DRAM) - относительно новый вид памяти, который также показывает свои преимущества только при последовательной выборке данных из памяти. Но при последовательной выборке (или потоке, конвейере - burst) чтение/запись выполняются в два раза быстрее, чем для EDO DRAM, DRAM. На микросхемах SDRAM указывается время доступа в наносекундах к данным при последовательной выборке. Реально же цифры на корпусах микросхем синхронной памяти фактически сообщают максимальную тактовую частоту системной шины, на которой данная память может работать. SDRAM выпускается сейчас только в 168-ми выводных 64-разрядных модулях DIMM. В отличие от обычных модулей SIMM эти могут устанавливаться на материнской плате поодиночке. В соответствии с JEDEC стандартом на модуле DIMM должна быть установлена специальная микросхема SPD устройства. Некоторые современные материнские платы, например фирмы Intel на наборе 440LX, не запускаются, если установлена планка памяти без SPD. Микросхемы SDRAM так же широко используются в качестве локальной памяти видеокарт.
SIMM (Single In-line Memory Module) - односторонний модуль памяти - конструктив модуля памяти, постепенно уходящие в 1997 году с рынка. Имеет 72 вывода с каждой стороны, но пары выводов с одной и другой стороны замкнуты между собой, поэтому они считаются односторонними. Собственно память, размещенная на модуле, может быть как FPM DRAM так и EDO DRAM. Память в SIMM имеет разрядность 32 (с четностью - 36) бита и может использоваться в компьютерах с процессорами Pentium только парами.
